PA1070

Amplificador de RF de estado sólido de alta rendimiento con cobertura de 20 MHz a 18 GHz, con salida continua de onda hasta 200 W y capacidad de salida pulsada hasta 1000 W. Construido utilizando tecnologías modernas de transistores de RF (GaN, LDMOS y GaAs), este amplificador está diseñado para aplicaciones ultraancho donde se requieren eficiencia, fiabilidad y robustez.

Características clave

• Rango de frecuencia: 20 MHz – 18 GHz
• Potencia de salida: hasta 200 W en modo continuo (CW); hasta 1000 W en modo pulsado
• Diseños de estado sólido con GaN, LDMOS y GaAs para alta eficiencia y larga MTBF
• Prendimiento ultraancho con operación estable en todo el band
• Construcción robusta y resistente para entornos exigentes
• Diseño amigable con el usuario destinado para integración y uso en pruebas

Aplicaciones típicas

• Sistemas aeroespaciales y de defensa (radar, guerra electrónica, interferencia)
• Comunicaciones satelitales y de banda ancha
• Pruebas de EMI/RFI y medición en laboratorio
• Pruebas de PIM y verificación de integración del sistema

Ventajas

• Gran ancho de banda instantáneo reduce la necesidad de múltiples amplificadores de banda estrecha
• Alta eficiencia reduce las demandas de refrigeración y suministro de energía en comparación con tecnologías anteriores
• Confiabilidad de estado sólido proporciona operación más segura en modo continuo y pulsado para despliegues críticos
• Factor de forma compacto y fácil de integrar, adecuado para estantería de laboratorio y sistemas en el lugar

Para el diseño del sistema, adquisición y integración, solicite la hoja de datos detallada para confirmar las interfaces eléctricas, tipos de conectores, requisitos de control e interbloqueo, dimensiones mecánicas y especificaciones ambientales.